美 中 AI 반도체 기술 접근 막는다 HBM GAA 규제 검토

미국 조 바이든 행정부가 인공지능(AI) 등 첨단 반도체 기술에 대한 중국의 접근을 차단하기 위해 추가 규제를 검토 중인 것으로 알려졌다. 첨단 반도체, 장비 등 하드웨어에 이어 기술 자체 통제에도 나선 것으로, 중국의 초기 AI 기술 접근을 막아 격차를 키우려는 의도로 풀이된다. 11일(현지시간) 블룸버그통신은 미국 정부가 차세대 반도체 설계 방식인 ‘게이트 올 어라운드’(GAA)와 고대역폭 메모리(HBM) 등에 대한 중국 접근을 막는 추가 규제를 논의 중이라고 보도했다. GAA는 반도체의 트랜지스터 구조인 기존 핀펫(FinFET) 공법보다 데이터 처리 속도와 전력효율이 높다. 엔비디아와 인텔 등이 내년 TSMC, 삼성전자 등 위탁생산업체를 통해 반도체 대량 생산을 추진 중이다. 삼성전자는 이미 3나노 공정에 GAA를 최초로 도입했다. HBM은 여러 D램을 수직으로 쌓아 고성능 메모리를 만드는 기술로, AI 고도화 훈련에 사용된다. 수출 통제를 감독하는 미국 상무부 산업안보국(BIS)은 최근 GAA 규제 초안을 업계 전문가로 구성된 기술자문위원회에 보낸 것으로 확인됐다. 당시 업계 측은 상무부의 규제 초안이 지나치게 광범위하다는 우려를 제기했다고 블룸버그는 설명했다. https://paperetm.com/